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SI7414DN-T1-GE3
MOSFET di potenza, canale N, 60 V, 5.6 A, 0.025 ohm, 1212, montaggio superficiale (SMT)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSI7414DN-T1-GE3
Codice Prodotto1794792
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds60V
Corrente Continua di Drain Id5.6A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.025ohm
Stile di Case del Transistor1212
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima-
Dissipazione di potenza1.5W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Alternative per SI7414DN-T1-GE3
1 prodotto trovato
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
5.6A
Stile di Case del Transistor
1212
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
1.5W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
60V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.025ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
-
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
-
Documenti tecnici (3)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.002
Tracciabilità del prodotto