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Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSI5419DU-T1-GE3
Codice Prodotto3772760
Gamma ProdottiTrenchFET
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale P
Tensione Drain Source Vds30V
Corrente Continua di Drain Id12A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.016ohm
Stile di Case del TransistorPowerPAK ChipFET
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima2.5V
Dissipazione di potenza31W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiTrenchFET
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Corrente Continua di Drain Id
12A
Stile di Case del Transistor
PowerPAK ChipFET
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
31W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
30V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.016ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
2.5V
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
TrenchFET
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto