Stampa pagina
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
22 521 A Stock
Ti serve altro?
Consegna EXPRESS in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00
Consegna standard GRATUITA
per gli ordini di importo pari e superiore a € 0,00
I tempi di consegna precisi saranno calcolati al momento del pagamento
Quantità | |
---|---|
1+ | € 1,150 |
10+ | € 0,768 |
100+ | € 0,530 |
500+ | € 0,414 |
1000+ | € 0,378 |
5000+ | € 0,314 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 1
Più: 1
€ 1,15 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSI4463CDY-T1-GE3
Codice Prodotto2056686
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale P
Tensione Drain Source Vds20V
Corrente Continua di Drain Id18.6A
Resistenza Drain-Source in conduzione8000µohm
Stile di Case del TransistorSOIC
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima600mV
Dissipazione di potenza5W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
SI4463CDY-T1-GE3 è un MOSFET di potenza ad arricchimento a canale P TrenchFET® di 2,5VGS adatto per gli interruttori degli adattatori, i commutatori di carico ad alta corrente e i notebook.
- Testato per Rg al 100%
- Testato UIS al 100%
- Privo di alogeni
- Intervallo di temperatura di esercizio: da -55 a 150°C
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Corrente Continua di Drain Id
18.6A
Stile di Case del Transistor
SOIC
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
5W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
20V
Resistenza Drain-Source in conduzione
8000µohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
600mV
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (3)
Alternative per SI4463CDY-T1-GE3
1 prodotto trovato
Prodotti associati
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:United States
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:United States
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.001588
Tracciabilità del prodotto