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Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSI2337DS-T1-E3
Codice Prodotto2335051
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale P
Tensione Drain Source Vds80V
Corrente Continua di Drain Id2.2A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.27ohm
Stile di Case del TransistorTO-236
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4V
Dissipazione di potenza2.5W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
The SI2337DS-T1-E3 is a 80VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
- -55 to 150°C Operating temperature range
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Corrente Continua di Drain Id
2.2A
Stile di Case del Transistor
TO-236
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
2.5W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
80V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.27ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
4V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (3)
Alternative per SI2337DS-T1-E3
3 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0001