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SI2315BDS-T1-GE3.
P CHANNEL MOSFET
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSI2315BDS-T1-GE3.
Codice Prodotto1867177
Datasheet tecnico
Tipo di canaleP Channel
Tensione Drain Source Vds12V
Corrente Continua di Drain Id3A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.05ohm
Stile di Case del TransistorSOT-23
Montaggio TransistoreSurface Mount
Tensione di test di Rds(on)4.5V
Tensione di soglia Gate-Source massima900mV
Dissipazione di potenza750mW
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
P Channel
Corrente Continua di Drain Id
3A
Stile di Case del Transistor
SOT-23
Tensione di test di Rds(on)
4.5V
Dissipazione di potenza
750mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
12V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.05ohm
Montaggio Transistore
Surface Mount
Tensione di soglia Gate-Source massima
900mV
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Documenti tecnici (2)
Alternative per SI2315BDS-T1-GE3.
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Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000044
Tracciabilità del prodotto