Stampa pagina
SI2308BDS-T1-GE3
MOSFET di potenza, canale N, 60 V, 2.3 A, 0.156 ohm, TO-236, montaggio superficiale (SMT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
8 839 A Stock
24 000 Puoi prenotare le disponibilità ora
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
| Quantità | |
|---|---|
| 5+ | € 0,830 |
| 50+ | € 0,510 |
| 100+ | € 0,359 |
| 500+ | € 0,290 |
| 1500+ | € 0,240 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 5
Più: 5
€ 4,15 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSI2308BDS-T1-GE3
Codice Prodotto1838997
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds60V
Corrente Continua di Drain Id2.3A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.156ohm
Stile di Case del TransistorTO-236
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3V
Dissipazione di potenza1.09W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
Il SI2308BDS-T1-GE3 è un MOSFET di potenza TrenchFET® a canale N, con temperatura di esercizio 175°C.
- Testato per Rg al 100%
- Testato UIS al 100%
- Tensione da gate a source: ±20V
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
2.3A
Stile di Case del Transistor
TO-236
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
1.09W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
60V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.156ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Documenti tecnici (3)
Alternative per SI2308BDS-T1-GE3
2 prodotti trovati
Prodotti associati
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:United States
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:United States
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00004
Tracciabilità del prodotto