Stampa pagina
IRFPG30PBF
MOSFET di potenza, canale N, 1 kV, 3.1 A, 5 ohm, TO-247AC, foro passante (THT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
312 A Stock
Ti serve altro?
Consegna EXPRESS in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00
Consegna standard GRATUITA
per gli ordini di importo pari e superiore a € 0,00
I tempi di consegna precisi saranno calcolati al momento del pagamento
| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 2,080 |
| 10+ | € 1,770 |
| 100+ | € 1,720 |
| 500+ | € 1,620 |
| 1000+ | € 1,590 |
Prezzo per:Unità
Minimo: 1
Più: 1
€ 2,08 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreIRFPG30PBF
Codice Prodotto2646358
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds1kV
Corrente Continua di Drain Id3.1A
Resistenza Drain-Source in conduzione5ohm
Stile di Case del TransistorTO-247AC
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4V
Dissipazione di potenza125W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
Il MOSFET di potenza di 3° generazione fornisce al progettista la migliore combinazione di commutazione rapida, design robusto, bassa resistenza in conduzione (ON) e rapporto prezzo-prestazioni.
- Rapporto dV/dt dinamico
- Testato per valanga ripetitiva
- Foro di montaggio centrale isolato
- Commutazione rapida
- Facilità di messa in parallelo
- Requisiti di drive semplici
Avvertenze
La domanda di mercato per questo prodotto ha causato un'estensione dei tempi di consegna. Le date di consegna potrebbero variare. Prodotto esente da sconti.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
3.1A
Stile di Case del Transistor
TO-247AC
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
125W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
1kV
Resistenza Drain-Source in conduzione
5ohm
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
4V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Mexico
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Mexico
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00567