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Informazioni sui prodotti
Panoramica del prodotto
L’IRFL110TRPBF è un MOSFET di potenza ad arricchimento con canale N di terza generazione HEXFET®, che offre al progettista la migliore combinazione di commutazione rapida, struttura rinforzata e bassa resistenza in stato ON. Il package è pensato per il montaggio superficiale tramite tecniche di saldatura a onda, infrarossi o vapore. La sua struttura unica permette un pick-and-place automatico come con gli altri package SOT o SOIC ma presenta il vantaggio aggiuntivo delle migliori performance termiche, grazie a una linguetta più grande che consente la dispersione del calore. Dissipazione di potenza di più di 1,25W possibile in un’applicazione a montaggio superficiale tipica.
- Variazione di tensione dV/dt dinamica
- Valore di valanga ripetitivo
- Commutazione rapida
- Facilità di messa in parallelo
- Requisiti di drive semplici
Avvertenze
La forte domanda di mercato ha causato un'estensione dei tempi di spedizione. Le date di consegna potrebbero variare. Articolo esente da sconti.
Specifiche tecniche
canale N
1.5A
SOT-223
10V
2W
150°C
-
Lead (21-Jan-2025)
100V
0.54ohm
montaggio superficiale (SMT)
-
3Pin
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Documenti tecnici (2)
Alternative per IRFL110TRPBF
4 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Morocco
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
RoHS
RoHS
Certificato di conformità del prodotto