IRFIBE30GPBF
MOSFET di potenza, canale N, 800 V, 2.1 A, 3 ohm, TO-220FP, foro passante (THT)
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| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 1,270 |
| 10+ | € 1,260 |
| 100+ | € 1,250 |
| 500+ | € 1,240 |
| 1000+ | € 1,230 |
| 5000+ | € 1,210 |
Informazioni sui prodotti
Panoramica del prodotto
The IRFIBE30GPBF is a 800V N-channel enhancement-mode Power MOSFET with single configuration. This third generation Power MOSFET from Vishay provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low ON-resistance. The FULLPAK eliminates the need for additional insulating hardware in applications. The moulding compound used provides a high isolation capability and a low thermal resistance between the tab and external heat sink. This isolation is equivalent to using a 100 micron mica barrier with standard TO-220 product. The FULLPAK is mounted to a heat sink using a single clip or by a single screw fixing.
- Isolated package
- Low thermal resistance
- Sink to lead creepage
- High voltage isolation
- Dynamic dV/dt rating
Specifiche tecniche
canale N
2.1A
TO-220FP
10V
35W
150°C
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Lead (21-Jan-2025)
800V
3ohm
foro passante (THT)
4V
3Pin
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Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
RoHS
RoHS
Certificato di conformità del prodotto