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IRFB9N65APBF
MOSFET di potenza, canale N, 650 V, 8.5 A, 0.93 ohm, TO-220, foro passante (THT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
Fuori produzione
Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreIRFB9N65APBF
Codice Prodotto3772673
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds650V
Corrente Continua di Drain Id8.5A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.93ohm
Stile di Case del TransistorTO-220
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4V
Dissipazione di potenza167W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)0
Alternative per IRFB9N65APBF
1 prodotto trovato
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
8.5A
Stile di Case del Transistor
TO-220
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
167W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
650V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.93ohm
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
4V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
0
Documenti tecnici (3)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)0
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.004536
Tracciabilità del prodotto