Stampa pagina
IRF830PBF
MOSFET di potenza, canale N, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-220AB, foro passante (THT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
1 123 A Stock
2 000 Puoi prenotare le disponibilità ora
Consegna EXPRESS in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00
Consegna standard GRATUITA
per gli ordini di importo pari e superiore a € 0,00
I tempi di consegna precisi saranno calcolati al momento del pagamento
| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 1,290 |
| 10+ | € 0,785 |
| 100+ | € 0,779 |
| 500+ | € 0,728 |
| 1000+ | € 0,692 |
| 5000+ | € 0,678 |
Prezzo per:Unità
Minimo: 1
Più: 1
€ 1,29 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreIRF830PBF
Codice Prodotto8648549
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds500V
Corrente Continua di Drain Id4.5A
Resistenza Drain-Source in conduzione1.5ohm
Stile di Case del TransistorTO-220AB
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4V
Dissipazione di potenza74W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
The IRF830PBF is a 500V N-channel SMPS MOSFET with low gate charge Qg results in simple drive requirement. It operates at high frequency with hard switching application. Suitable for SMPS, uninterruptable power supply and high speed power switching.
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- 150°C Operating temperature
- Easy to parallel
- Simple drive requirement
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
4.5A
Stile di Case del Transistor
TO-220AB
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
74W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
500V
Resistenza Drain-Source in conduzione
1.5ohm
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
4V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Documenti tecnici (3)
Alternative per IRF830PBF
2 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.002
Tracciabilità del prodotto