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IRF640PBF-BE3
MOSFET, N-CH, 200V, 18A, TO-220AB
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ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreIRF640PBF-BE3
Codice Prodotto3729189
Gamma ProdottiIRF640 Series
Datasheet tecnico
413 A Stock
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreIRF640PBF-BE3
Codice Prodotto3729189
Gamma ProdottiIRF640 Series
Datasheet tecnico
Tipo di canaleN Channel
Tensione Drain Source Vds200V
Corrente Continua di Drain Id18A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.18ohm
Stile di Case del TransistorTO-220AB
Montaggio TransistoreThrough Hole
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4V
Dissipazione di potenza125W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiIRF640 Series
Qualificazioni-
Specifiche tecniche
Tipo di canale
N Channel
Corrente Continua di Drain Id
18A
Stile di Case del Transistor
TO-220AB
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
125W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
200V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.18ohm
Montaggio Transistore
Through Hole
Tensione di soglia Gate-Source massima
4V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
IRF640 Series
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Prodotti associati
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Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Taiwan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Taiwan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.009072