Stampa pagina
IRF530PBF
MOSFET di potenza, canale N, 100 V, 14 A, 0.16 ohm, TO-220AB, foro passante (THT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
1 731 A Stock
Ti serve altro?
Consegna EXPRESS in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00
Consegna standard GRATUITA
per gli ordini di importo pari e superiore a € 0,00
I tempi di consegna precisi saranno calcolati al momento del pagamento
| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 1,170 |
| 10+ | € 0,655 |
| 100+ | € 0,641 |
| 500+ | € 0,616 |
| 1000+ | € 0,612 |
| 5000+ | € 0,563 |
Prezzo per:Unità
Minimo: 1
Più: 1
€ 1,17 (IVA esc)
nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreIRF530PBF
Codice Prodotto8648280
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds100V
Corrente Continua di Drain Id14A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.16ohm
Stile di Case del TransistorTO-220AB
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4V
Dissipazione di potenza88W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
The IRF530PBF is an N-channel Power MOSFET provides the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- Fast switching
- Ease of paralleling
- Simple drive requirement
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
14A
Stile di Case del Transistor
TO-220AB
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
88W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
100V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.16ohm
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
4V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (3)
Alternative per IRF530PBF
2 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Mexico
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Mexico
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.002
Tracciabilità del prodotto