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Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttore2N7002K-T1-GE3
Codice Prodotto1858936RL
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds60V
Corrente Continua di Drain Id190mA
Resistenza Drain-Source in conduzione2ohm
Stile di Case del TransistorSOT-23
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima1V
Dissipazione di potenza350mW
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
Il 2N7002K-T1-GE3 è un MOSFET di potenza ad arricchimento con canale N TrenchFET® che offre una bassa dispersione di ingresso e uscita.
- Bassa resistenza di ON: 2Ω
- Bassa soglia: 2V
- Bassa capacità elettrica di ingresso: 25pF
- Velocità di commutazione rapida: 25ns
- Protezione dalle ESD: 2000V
- Privo di alogeni
- Bassa tensione di offset
- Funzionamento a bassa tensione
- Pilotabile facilmente senza buffer
- Circuiti ad alta velocità
- Bassa tensione di errore
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
190mA
Stile di Case del Transistor
SOT-23
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
350mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
60V
Resistenza Drain-Source in conduzione
2ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
1V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Documenti tecnici (2)
Alternative per 2N7002K-T1-GE3
4 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000008
Tracciabilità del prodotto