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UJ3C065030B3
MOSFET al carburo di silicio, configurazione singola, canale N, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreUJ3C065030B3
Codice Prodotto4014254
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETconfigurazione singola
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id65A
Tensione Drain Source Vds650V
Resistenza Drain-Source in conduzione0.027ohm
Stile di Case del TransistorD2PAK
Numero di pin3Pin
Tensione di test di Rds(on)12V
Tensione di soglia Gate-Source massima5V
Dissipazione di potenza242W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
configurazione singola
Corrente Continua di Drain Id
65A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.027ohm
Numero di pin
3Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
5V
Temperatura di esercizio max
175°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
650V
Stile di Case del Transistor
D2PAK
Tensione di test di Rds(on)
12V
Dissipazione di potenza
242W
Gamma di prodotti
-
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0014