Stampa pagina
OPB703WZ
Interruttore fotoriflettente, serie OPB703, fototransistor, a pannello, 3,81mm, 40mA, 2Vr
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreTT ELECTRONICS / OPTEK TECHNOLOGY
Cod. produttoreOPB703WZ
Codice Prodotto1678631
Datasheet tecnico
875 A Stock
Ti serve altro?
Consegna EXPRESS in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00
Consegna standard GRATUITA
per gli ordini di importo pari e superiore a € 0,00
I tempi di consegna precisi saranno calcolati al momento del pagamento
| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 4,410 |
| 5+ | € 4,320 |
| 10+ | € 4,230 |
| 50+ | € 4,140 |
| 100+ | € 4,050 |
| 250+ | € 3,970 |
Prezzo per:Unità
Minimo: 1
Più: 1
€ 4,41 (IVA esc)
nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreTT ELECTRONICS / OPTEK TECHNOLOGY
Cod. produttoreOPB703WZ
Codice Prodotto1678631
Datasheet tecnico
Metodo di Rilevamentoa riflessione
Distanza di rilevamento / ampiezza fessura-
Tensione di alimentazione min-
Distanza di Rilevamento3.81mm
Tensione di alimentazione max-
Corrente Diretta If40mA
Tensione Inversa Vr2V
Package/involucro del sensoremodulo
Massima tensione Collettore-Emettitore30V
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo30V
Tensione Diretta1.7V
Corrente di collettore (IC) max25mA
Tipo di uscita sensorefototransistore
Categoria IP-
Montatura del Sensorecavo
Temperatura di esercizio min-40°C
Temperatura di esercizio max80°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
The <bold>OPB703</bold> consist of an Infrared (890nm) Light Emitting Diode (LED) and a NPN silicon Phototransistor, mounted side-by-side on converging optical axes in a black plastic housing and are designed for PCBoard mounting. The <bold>OPB703WZ</bold> are designed for remote mounting utilizing interconnect wires of UL approved 26 AWG, 24” (61.0cm) minimum length, stripped and tinned. The phototransistor responds to illumination from the emitter when a reflective object passes within the field of view centered typically at 0.15” (3.8 mm).
- Phototransistor output
- High sensitivity
- Low-cost plastic housing
- Available with lenses for dust protection and ambient light filtration
- Focused for maximum sensitivity
Specifiche tecniche
Metodo di Rilevamento
a riflessione
Tensione di alimentazione min
-
Tensione di alimentazione max
-
Tensione Inversa Vr
2V
Massima tensione Collettore-Emettitore
30V
Tensione Diretta
1.7V
Tipo di uscita sensore
fototransistore
Montatura del Sensore
cavo
Temperatura di esercizio max
80°C
Qualificazioni
-
Distanza di rilevamento / ampiezza fessura
-
Distanza di Rilevamento
3.81mm
Corrente Diretta If
40mA
Package/involucro del sensore
modulo
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo
30V
Corrente di collettore (IC) max
25mA
Categoria IP
-
Temperatura di esercizio min
-40°C
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Mexico
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Mexico
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.006635