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TP65H150BG4JSG-TR
Transistore al nitruro di gallio (GaN), 650 V, 16 A, 0.18 ohm, 4.9 nC, PQFN
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ProduttoreRENESAS
Cod. produttoreTP65H150BG4JSG-TR
Codice Prodotto4371974
Gamma ProdottiSuperGaN Series
Datasheet tecnico
808 A Stock
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreRENESAS
Cod. produttoreTP65H150BG4JSG-TR
Codice Prodotto4371974
Gamma ProdottiSuperGaN Series
Datasheet tecnico
Tensione Drain Source Vds650V
Corrente Continua di Drain Id16A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.18ohm
Carica di gate tipica4.9nC
Stile di Case del TransistorPQFN
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Numero di pin8Pin
Gamma di prodottiSuperGaN Series
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Tensione Drain Source Vds
650V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.18ohm
Stile di Case del Transistor
PQFN
Numero di pin
8Pin
Qualificazioni
-
Corrente Continua di Drain Id
16A
Carica di gate tipica
4.9nC
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Gamma di prodotti
SuperGaN Series
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:In attesa di conferma
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):1.12