Stampa pagina
TW083N65C,S1F(S
MOSFET al carburo di silicio, configurazione singola, canale N, 30 A, 650 V, 0.113 ohm, TO-247
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreTOSHIBA
Cod. produttoreTW083N65C,S1F(S
Codice Prodotto4049754
Anche noto comeTW083N65C ,TW083N65C,S1F
Datasheet tecnico
Disponibile per l'ordine
Tempo di approvvigionamento standard del produttore: 24 settimana/e
Avvisami non appena disponibile
| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 14,590 |
| 5+ | € 13,730 |
| 10+ | € 12,870 |
| 50+ | € 12,860 |
| 100+ | € 11,650 |
| 250+ | € 10,430 |
Prezzo per:Unità
Minimo: 1
Più: 1
€ 14,59 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreTOSHIBA
Cod. produttoreTW083N65C,S1F(S
Codice Prodotto4049754
Anche noto comeTW083N65C ,TW083N65C,S1F
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETconfigurazione singola
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id30A
Tensione Drain Source Vds650V
Resistenza Drain-Source in conduzione0.113ohm
Stile di Case del TransistorTO-247
Numero di pin3Pin
Tensione di test di Rds(on)18V
Tensione di soglia Gate-Source massima5V
Dissipazione di potenza111W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)To Be Advised
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
configurazione singola
Corrente Continua di Drain Id
30A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.113ohm
Numero di pin
3Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
5V
Temperatura di esercizio max
175°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
To Be Advised
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
650V
Stile di Case del Transistor
TO-247
Tensione di test di Rds(on)
18V
Dissipazione di potenza
111W
Gamma di prodotti
-
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)To Be Advised
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.006
Tracciabilità del prodotto