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TRS4V65H,LQ(S
Diodo Schottky al carburo di silicio, singolo, doppio anodo, 650 V, 13 A, 12 nC, DFN
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ProduttoreTOSHIBA
Cod. produttoreTRS4V65H,LQ(S
Codice Prodotto4227510
Anche noto comeTRS4V65H, TRS4V65H,LQ
Datasheet tecnico
2 480 A Stock
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreTOSHIBA
Cod. produttoreTRS4V65H,LQ(S
Codice Prodotto4227510
Anche noto comeTRS4V65H, TRS4V65H,LQ
Datasheet tecnico
Gamma di prodotti-
Configurazione Diodosingolo, doppio anodo
Tensione inversa di picco ripetitiva650V
Corrente diretta media13A
Carica Qc capacitiva totale12nC
Tipo di Case del DiodoDFN
Numero di Pin5 Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Montaggio del diodomontaggio superficiale
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)To Be Advised
Specifiche tecniche
Gamma di prodotti
-
Tensione inversa di picco ripetitiva
650V
Carica Qc capacitiva totale
12nC
Numero di Pin
5 Pin
Montaggio del diodo
montaggio superficiale
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
To Be Advised
Configurazione Diodo
singolo, doppio anodo
Corrente diretta media
13A
Tipo di Case del Diodo
DFN
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)To Be Advised
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000175