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TPN2R703NL,L1Q(M
MOSFET di potenza, canale N, 30 V, 90 A, 2200 µohm, TSON, montaggio superficiale (SMT)
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ProduttoreTOSHIBA
Cod. produttoreTPN2R703NL,L1Q(M
Codice Prodotto4173231
Gamma ProdottiU-MOSVIII-H Series
Anche noto comeTPN2R703NL, TPN2R703NL,L1Q
Datasheet tecnico
3 152 A Stock
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| Quantità | |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreTOSHIBA
Cod. produttoreTPN2R703NL,L1Q(M
Codice Prodotto4173231
Gamma ProdottiU-MOSVIII-H Series
Anche noto comeTPN2R703NL, TPN2R703NL,L1Q
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds30V
Corrente Continua di Drain Id90A
Resistenza Drain-Source in conduzione2200µohm
Stile di Case del TransistorTSON
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima2.3V
Dissipazione di potenza42W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiU-MOSVIII-H Series
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)To Be Advised
Panoramica del prodotto
TPN2R703NL,L1Q(M is a N-CH 30V, 45A MOSFET in surface mount 8TSON package. Suitable for High-Efficiency DC-DC converters and switching voltage regulators.
- High-speed switching
- Small gate charge QSW is 5.2nC (typ)
- Low drain-source on-resistance RDS(ON) is 3.3mohm (typ.) (VGS = 4.5V)
- Low leakage current IDSS is 10µA (max) (VDS = 30V)
- Enhancement mode: Vth = 1.3 to 2.3V (VDS = 10V, ID = 0.3mA)
- 30V VDSS drain source voltage
- ±20VGSS gate source voltage
- 45A avalanche current
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
90A
Stile di Case del Transistor
TSON
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
42W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
30V
Resistenza Drain-Source in conduzione
2200µohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
2.3V
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
U-MOSVIII-H Series
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
To Be Advised
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)To Be Advised
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00003
Tracciabilità del prodotto