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TK10E60W,S1VX(S
MOSFET di potenza, canale N, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-220, foro passante (THT)
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ProduttoreTOSHIBA
Cod. produttoreTK10E60W,S1VX(S
Codice Prodotto3977643
Anche noto comeTK10E60W, TK10E60W,S1VX
Datasheet tecnico
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ProduttoreTOSHIBA
Cod. produttoreTK10E60W,S1VX(S
Codice Prodotto3977643
Anche noto comeTK10E60W, TK10E60W,S1VX
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds600V
Corrente Continua di Drain Id9.7A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.327ohm
Stile di Case del TransistorTO-220
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3.7V
Dissipazione di potenza100W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)To Be Advised
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
9.7A
Stile di Case del Transistor
TO-220
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
100W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
600V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.327ohm
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3.7V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
To Be Advised
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)To Be Advised
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.002
Tracciabilità del prodotto