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SSM6K217FE,LF(A
MOSFET di potenza, canale N, 40 V, 1.8 A, 0.195 ohm, SOT-563, montaggio superficiale (SMT)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreTOSHIBA
Cod. produttoreSSM6K217FE,LF(A
Codice Prodotto4415933RL
Datasheet tecnico
Tensione Drain Source Vds40V
Corrente Continua di Drain Id1.8A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.195ohm
Tensione di test di Rds(on)8V
Tensione di soglia Gate-Source massima1.2V
Dissipazione di potenza500mW
Numero di pin6Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Specifiche tecniche
Tensione Drain Source Vds
40V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.195ohm
Tensione di soglia Gate-Source massima
1.2V
Numero di pin
6Pin
Corrente Continua di Drain Id
1.8A
Tensione di test di Rds(on)
8V
Dissipazione di potenza
500mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Japan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Japan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:In attesa di conferma
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000003
Tracciabilità del prodotto