Stampa pagina
SSM3J356R,LF(T
MOSFET di potenza, canale P, 60 V, 2 A, 0.3 ohm, SOT-23F, montaggio superficiale (SMT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreTOSHIBA
Cod. produttoreSSM3J356R,LF(T
Codice Prodotto3872276RL
Anche noto comeSSM3J356R ,SSM3J356R,LF
Datasheet tecnico
8 465 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
| Quantità | |
|---|---|
| 100+ | € 0,431 |
| 500+ | € 0,331 |
| 1500+ | € 0,268 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 100
Più: 5
€ 43,10 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreTOSHIBA
Cod. produttoreSSM3J356R,LF(T
Codice Prodotto3872276RL
Anche noto comeSSM3J356R ,SSM3J356R,LF
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale P
Polarità Transistorcanale P
Tensione Drain Source Vds60V
Corrente Continua di Drain Id2A
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.28ohm
Resistenza Drain-Source in conduzione0.3ohm
Stile di Case del TransistorSOT-23F
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)4V
Tensione di soglia Gate-Source massima2V
Dissipazione di potenza1W
Dissipazione di Potenza Pd1W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Standard di Qualifica Automotive-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)To Be Advised
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Tensione Drain Source Vds
60V
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.28ohm
Stile di Case del Transistor
SOT-23F
Tensione di test di Rds(on)
4V
Dissipazione di potenza
1W
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Standard di Qualifica Automotive
-
Polarità Transistor
canale P
Corrente Continua di Drain Id
2A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.3ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
2V
Dissipazione di Potenza Pd
1W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
To Be Advised
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Thailand
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Thailand
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)To Be Advised
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto