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RFM04U6P(TE12L,F)
Transistore RF FET, 16 V, 2 A, 7 W, SMD
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ProduttoreTOSHIBA
Cod. produttoreRFM04U6P(TE12L,F)
Codice Prodotto3872262
Anche noto comeRFM04U6P, RFM04U6P(TE12L
Datasheet tecnico
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreTOSHIBA
Cod. produttoreRFM04U6P(TE12L,F)
Codice Prodotto3872262
Anche noto comeRFM04U6P, RFM04U6P(TE12L
Datasheet tecnico
Tensione Drain Source Vds16V
Corrente Continua di Drain Id2A
Dissipazione di potenza7W
Frequenza Operativa Min-
Frequenza Operativa Max-
Stile di Case del TransistorSMD
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Tipo di canalecanale N
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Gamma di prodotti-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)To Be Advised
Specifiche tecniche
Tensione Drain Source Vds
16V
Dissipazione di potenza
7W
Frequenza Operativa Max
-
Numero di pin
3Pin
Tipo di canale
canale N
Gamma di prodotti
-
Corrente Continua di Drain Id
2A
Frequenza Operativa Min
-
Stile di Case del Transistor
SMD
Temperatura di esercizio max
150°C
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
To Be Advised
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Japan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Japan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)To Be Advised
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001