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2SK3075(TE12L,Q)
Transistore RF FET, 30 V, 5 A, 20 W, 520 MHz, SMD
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| Quantità | |
|---|---|
| 1000+ | € 3,780 |
| 3000+ | € 3,310 |
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Minimo: 1000
Più: 1000
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreTOSHIBA
Cod. produttore2SK3075(TE12L,Q)
Codice Prodotto4320099
Datasheet tecnico
Tensione Drain Source Vds30V
Corrente Continua di Drain Id5A
Dissipazione di potenza20W
Frequenza Operativa Min-
Frequenza Operativa Max520MHz
Stile di Case del TransistorSMD
Numero di pin4Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Tipo di canalecanale N
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Gamma di prodotti-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)To Be Advised
Specifiche tecniche
Tensione Drain Source Vds
30V
Dissipazione di potenza
20W
Frequenza Operativa Max
520MHz
Numero di pin
4Pin
Tipo di canale
canale N
Gamma di prodotti
-
Corrente Continua di Drain Id
5A
Frequenza Operativa Min
-
Stile di Case del Transistor
SMD
Temperatura di esercizio max
150°C
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
To Be Advised
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Japan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Japan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)To Be Advised
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto