Stampa pagina
2SK208-R(TE85L,F)
Transistore JFET, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pin, 125 °C
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreTOSHIBA
Cod. produttore2SK208-R(TE85L,F)
Codice Prodotto3872214RL
Anche noto come2SK208-R, 2SK208-R(TE85L
Datasheet tecnico
Disponibile per l'ordine
Tempo di approvvigionamento standard del produttore: 28 settimana/e
Avvisami non appena disponibile
| Quantità | |
|---|---|
| 100+ | € 0,240 |
| 500+ | € 0,183 |
| 1000+ | € 0,149 |
| 5000+ | € 0,124 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 100
Più: 5
€ 29,00 (IVA esc)
Per questo prodotto verranno addebitati € 5,00 per il re-reeling
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreTOSHIBA
Cod. produttore2SK208-R(TE85L,F)
Codice Prodotto3872214RL
Anche noto come2SK208-R, 2SK208-R(TE85L
Datasheet tecnico
Tensione di Rottura Vbr50V
Massima tensione di rottura Gate-Source50V
Corrente Drain Min a Tensione Gate Nulla Idss300µA
Massima corrente di drain a tensione di gate zero6.5mA
Massima tensione di cutoff Gate-Source5V
Stile di Case del TransistorTO-236MOD
Numero di Pin3 Pin
Tipo di TransistorMOSFET
Temperatura di esercizio max125°C
Tipo di canalecanale N
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Standard di Qualifica Automotive-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)To Be Advised
Specifiche tecniche
Tensione di Rottura Vbr
50V
Corrente Drain Min a Tensione Gate Nulla Idss
300µA
Massima tensione di cutoff Gate-Source
5V
Numero di Pin
3 Pin
Temperatura di esercizio max
125°C
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
To Be Advised
Massima tensione di rottura Gate-Source
50V
Massima corrente di drain a tensione di gate zero
6.5mA
Stile di Case del Transistor
TO-236MOD
Tipo di Transistor
MOSFET
Tipo di canale
canale N
Gamma di prodotti
-
Standard di Qualifica Automotive
-
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Japan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Japan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)To Be Advised
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto