SN74LVC2T45DCTT

SN74LVC2T45DCTT è un CI transceiver di bus non invertente a doppio bit che sfrutta due guide di alimentazione separate configurabili. La porta A è progettata per tracciare la tensione del collettore comune VCCA, VCCA accetta qualsiasi tensione di alimentazione da 1,65 a 5,5V. La porta B è progettata per tracciare la tensione del collettore comune VCCB, che permette qualsiasi tensione di alimentazione da 1,65 a 5,5V. Questo permette una traslazione bidirezionale universale a bassa tensione tra qualsiasi dei nodi di tensione 1,8, 2,5, 3,3 e 5V. Questo prodotto è pensato per la comunicazione asincrona tra due bus di dati. I livelli logici dell'input di controllo della direzione (DIR) attivano gli output della porta B o gli output della porta A. Il dispositivo trasmette i dati dal bus A al bus B quando si attivano gli output della porta B; dal bus B al bus A quando si attivano gli ouput della porta A. La circuiteria di ingresso sulle porte A e B è sempre attiva e deve sempre avere applicato un livello logico HIGH o LOW per prevenire un eccesso di corrente di alimentazione ICC e ICCZ.

• La struttura a doppia guida completamente configurabile permette a ciascuna porta di funzionare per tutto un range di alimentazione da 1,65 a 5.5V
• Funzione di isolamento VCC, se uno degli input di VCC è a valore di terra GND, entrambe le porte entrano in stato di alta impedenza
• Circuito di ingresso DIR riferito a VCCA
• Consumo a bassa potenza, ICC massimo 10μA
• Drive di uscita a 3,3V: ±24mA
• Ioff supporta il funzionamento in modalità di spegnimento parziale
• Velocità di trasferimento dati 420Mbps(traslazione da 3,3 a 5V) 210Mbps (si trasla a 3,3V), 75Mbps (si trasla a 1,8V)
• Prestazioni di latch-up oltre 100mA a norma di JESD 78 classe II
• Prodotto green privo di bromo (Br) e antimonio (Sb)

Avvertenze

Dispositivo con protezione ESD integrata limitata, si consiglia pertanto di cortocircuitare insieme i cavi o di collocare il dispositivo in una schiuma conduttiva quando lo si imballa o lo si ripone, in modo da prevenire danni elettrostatici ai gate MOS.