SN74LVC1T45DBVT

SN74LVC1T45DBVT è un CI transceiver di bus non invertente a singolo bit che sfrutta due guide di alimentazione separate configurabili. La porta A è progettata per tracciare la tensione del collettore comune VCCA, dove VCCA accetta qualsiasi tensione di alimentazione da 1,65 a 5,5V. La porta B è progettata per tracciare la tensione del collettore comune VCCB, che accetta qualsiasi tensione di alimentazione da 1,65 a 5,5V. Questo permette una traslazione bidirezionale universale a bassa tensione tra qualsiasi dei nodi di tensione 1,8, 2,5, 3,3 e 5V. L’SN74LVC1T45 è pensato per la comunicazione asincrona tra due bus di dati. I livelli logici dell’input di controllo della direzione (DIR) attivano gli output della porta B o gli output della porta A. Il dispositivo trasmette i dati dal bus A al bus B quando si attivano gli output della porta B; dal bus B al bus A quando si attivano gli ouput della porta A. La circuiteria di ingresso sulle porte A e B è sempre attiva e deve sempre avere applicato un livello logico HIGH o LOW per prevenire un eccesso di corrente di alimentazione ICC e ICCZ. L’SN74LVC1T45DBVT è progettato in modo che l’ingresso DIR sia alimentato dalla tensione del collettore comune VCCA.

• La struttura a doppia guida completamente configurabile permette a ciascuna porta di funzionare per tutto un range di alimentazione da 1,65 a 5.5V
• Funzione di isolamento VCC, se uno degli input di VCC è a valore di terra GND, entrambe le porte entrano in stato di alta impedenza
• Circuito di ingresso DIR riferito a VCCA
• Consumo a bassa potenza, ICC massimo 4μA
• Pilotaggio in uscita ±24mA a 3,3V
• Ioff supporta il funzionamento in modalità di spegnimento parziale
• Velocità di trasferimento dati 420Mbps(traslazione da 3,3 a 5V) 210Mbps (si trasla a 3,3V), 75Mbps (si trasla a 1,8V)
• Prestazioni di latch-up oltre 100mA per JESD 78 Classe II
• Prodotto green privo di bromo (Br) e antimonio (Sb)

Avvertenze

Dispositivo con protezione ESD integrata limitata, si consiglia pertanto di cortocircuitare insieme i cavi o di collocare il dispositivo in una schiuma conduttiva quando lo si imballa o lo si ripone, in modo da prevenire danni elettrostatici ai gate MOS.