3 000 Puoi prenotare le disponibilità ora
Quantità | |
---|---|
1+ | € 0,764 |
10+ | € 0,546 |
100+ | € 0,462 |
500+ | € 0,394 |
1000+ | € 0,352 |
2500+ | € 0,349 |
5000+ | € 0,345 |
Informazioni sui prodotti
Panoramica del prodotto
Il LM358N/NOPB di Texas Instruments è un doppio amplificatore operazionale a bassa potenza di serie LM158 in un package DIP a 8 pin. La serie LM158 è costituita da due amplificatori operazionali indipendenti compensati internamente in frequenza, che sono stati pensati appositamente per funzionare con una singola alimentazione su un vasto range di tensioni. Presenta caratteristiche uniche, come il fatto che in modalità lineare il range di tensioni di modo comune in ingresso include la massa, e il fatto che la tensione di uscita può anche variare verso il valore di terra pur essendo alimentato da una sola fonte di energia. La frequenza trasversale del guadagno unitario è compensata in temperatura, come lo è anche la corrente di bias in ingresso. Si usa tipicamente nei filtri attivi, nel condizionamento e amplificazione generale dei segnali e nei trasmettitori current loop da 4 a 20mA.
- Compensato in frequenza interna per guadagno dell'unità
- Ampio guadagno di tensione DC: 100dB
- Ampia larghezza di banda (guadagno unitario): 1MHz
- Alimentazione singola: 3V-32V
- Bassa tensione di offset in ingresso: 2mV
- Intervallo di tensione di ingresso differenziale uguale alla tensione di alimentazione
- Ampia variazione di tensione di output
- Permette il sensing diretto con valori prossimi al potenziale 0 e alla tensione in uscita Vout. Anche con potenziale 0.
- Compatibile con tutte le logiche
- Scarico di potenza adatto al funzionamento della batteria
Avvertenze
Dispositivo con protezione ESD integrata limitata, si consiglia pertanto di cortocircuitare insieme i cavi o di collocare il dispositivo in una schiuma conduttiva quando lo si imballa o lo si ripone, in modo da prevenire danni elettrostatici ai gate MOS.
Note
Device has limited built-in ESD protection, leads should be shorted together or the device placed in conductive foam during storage or handling to prevent electrostatic damage to the MOS gates.
Specifiche tecniche
1MHz
da 3V a 32V
8Pin
0°C
-
-
DIP
1MHz
0.1V/µs
0.1V/µs
DIP
Basssa Potenza
70°C
-
No SVHC (27-Jun-2018)
-
2 amplificatori
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
RoHS
RoHS
Certificato di conformità del prodotto