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CSD86330Q3D .
MOSFET dual-gate, canale N, 25 V, 20 A, 4.6 ohm
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreTEXAS INSTRUMENTS
Cod. produttoreCSD86330Q3D .
Codice Prodotto1972453
Gamma ProdottiCompute Module 3+ Series
Tolto dall'assortimento
Informazioni sui prodotti
ProduttoreTEXAS INSTRUMENTS
Cod. produttoreCSD86330Q3D .
Codice Prodotto1972453
Gamma ProdottiCompute Module 3+ Series
Tipo di canalecanale N
Tensione drain-source (Vds) canale N25V
Tensione drain-source (Vds) canale P-
Corrente di drain continua (Id) canale N20A
Corrente di drain continua (Id) canale P-
Resistenza RdsON canale N4.6ohm
Resistenza RdsON canale P-
Stile di Case del TransistorSON
Numero di pin8Pin
Dissipazione di potenza canale N6W
Dissipazione di potenza canale P-
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiCompute Module 3+ Series
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Alternative per CSD86330Q3D .
1 prodotto trovato
Panoramica del prodotto
The CSD86330Q3D is a Synchronous Buck NexFET™ Power Block optimized for synchronous buck applications offering high current, high efficiency and high frequency capability in a small 3.3x3.3mm outline. Optimized for 5V gate drive applications, this product offers a flexible solution capable of offering a high density power supply when paired with any 5Vgate drive from an external controller/driver.
- Half-bridge power block
- 90% System efficiency at 15A
- High frequency operation (up to 1.5MHz)
- High density
- Low switching losses
- Ultra low inductance package
- Halogen-free
Applicazioni
ambito industriale, gestione potenza elettrica
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione drain-source (Vds) canale P
-
Corrente di drain continua (Id) canale P
-
Resistenza RdsON canale P
-
Numero di pin
8Pin
Dissipazione di potenza canale P
-
Gamma di prodotti
Compute Module 3+ Series
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Tensione drain-source (Vds) canale N
25V
Corrente di drain continua (Id) canale N
20A
Resistenza RdsON canale N
4.6ohm
Stile di Case del Transistor
SON
Dissipazione di potenza canale N
6W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:United States
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:United States
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85423990
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:In attesa di conferma
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00027