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TQM150NB04CR RLG
MOSFET di potenza, canale N, 40 V, 41 A, 9000 µohm, PDFN56U, montaggio superficiale (SMT)
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ProduttoreTAIWAN SEMICONDUCTOR
Cod. produttoreTQM150NB04CR RLG
Codice Prodotto3773032RL
Datasheet tecnico
Disponibile per l'ordine
Tempo di approvvigionamento standard del produttore: 32 settimana/e
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| Quantità | |
|---|---|
| 100+ | € 0,555 |
| 500+ | € 0,466 |
| 1000+ | € 0,427 |
| 5000+ | € 0,357 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 100
Più: 1
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreTAIWAN SEMICONDUCTOR
Cod. produttoreTQM150NB04CR RLG
Codice Prodotto3773032RL
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Polarità Transistorcanale N
Tensione Drain Source Vds40V
Corrente Continua di Drain Id41A
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.009ohm
Resistenza Drain-Source in conduzione9000µohm
Stile di Case del TransistorPDFN56U
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima2.5V
Dissipazione di potenza56W
Dissipazione di Potenza Pd56W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
QualificazioniAEC-Q101
Standard di Qualifica AutomotiveAEC-Q101
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
40V
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.009ohm
Stile di Case del Transistor
PDFN56U
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
56W
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
-
Standard di Qualifica Automotive
AEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Polarità Transistor
canale N
Corrente Continua di Drain Id
41A
Resistenza Drain-Source in conduzione
9000µohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
2.5V
Dissipazione di Potenza Pd
56W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Taiwan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Taiwan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0004
Tracciabilità del prodotto