VNS3NV04DPTR-E

Il VNS3NV04DPTR-E è un MOSFET di potenza completamente auto-protetto OMNIFET II automotive. È costituito da due chip monolitici (OMNIFET II) alloggiati in un package standard. L'OMNIFET II sfrutta la tecnologia STMicroelectronics VI Power M0-3 ed è pensato come sostituto del MOSFET di potenza standard nelle applicazioni DC fino a 50kHz. L'arresto termico, la limitazione della corrente lineare e la limitazione della sovratensione incorporati proteggono il chip negli ambienti ostili. Il feedback di guasto può essere rilevato con il monitoraggio della tensione sul pin di ingresso.

• Qualificato AEC-Q100, limite di corrente lineare
• Protezione da cortocircuito, arresto termico, clamp integrato
• Corrente ridotta assorbita dal pin di ingresso
• Feedback diagnostico attraverso il pin di ingresso, protezione dalle scariche ESD
• Accesso diretto al gate del MOSFET di potenza (drive analogico)
• Compatibile con il MOSFET di potenza standard
• Resistenza di conduzione drain-source statica: 120mohm max (VIN = 5V; ID = 1,5A; Tj = 25°C)
• Limite di corrente di drain: 5A tip. (VIN = 5V; VDS = 13V, -40°C <lt/> Tj <lt/> 150°C)
• Tensione di clamp drain-source: 45V tip. (VIN = 0V, ID = 1,5A, -40°C <lt/> Tj <lt/> 150°C)
• Package SO-8, intervallo di temperatura di esercizio: da -40°C a 150°C

Avvertenze

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