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Informazioni sui prodotti
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreVNS1NV04DPTR-E
Codice Prodotto2341721
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds45V
Corrente Continua di Drain Id1.7A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.25ohm
Stile di Case del TransistorSOIC
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)5V
Tensione di soglia Gate-Source massima500mV
Dissipazione di potenza4W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max-
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
VNS1NV04DPTR-E è un MOSFET di potenza completamente autoprotetto da 40V formato da due chip OMNIFET II monolitici. OMNIFET II è progettato con la tecnologia VIPower™ M0-3 pensata per la sostituzione dei MOSFET nelle applicazioni da DC a 50KHz. L'arresto termico, la limitazione della corrente lineare e la limitazione della sovratensione incorporati proteggono il chip negli ambienti ostili. È possibile rilevare il feedback di guasto tramite il monitoraggio di tensione sul pin di input.
- Limitazione di corrente lineare
- Arresto termico
- Protezione dai cortocircuiti
- Clamp di limitazione integrato
- Bassa corrente assorbita dal pin di input
- Feedback diagnostico attraverso il pin di input
- Protezione dalle ESD
- Accesso diretto al gate del MOSFET di potenza (drive analogico)
- Compatibile con il MOSFET di potenza standard
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
1.7A
Stile di Case del Transistor
SOIC
Tensione di test di Rds(on)
5V
Dissipazione di potenza
4W
Temperatura di esercizio max
-
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
45V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.25ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
500mV
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (2)
Prodotti associati
2 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000319