Stampa pagina
STW26NM60N
MOSFET di potenza, canale N, 600 V, 20 A, 0.135 ohm, TO-247, foro passante (THT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
6 083 A Stock
Ti serve altro?
.
.
Consegna standard GRATUITA
per gli ordini di importo pari e superiore a € 0,00
I tempi di consegna precisi saranno calcolati al momento del pagamento
| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 6,230 |
| 10+ | € 3,800 |
| 100+ | € 3,220 |
| 500+ | € 3,060 |
| 1000+ | € 2,960 |
Prezzo per:Unità
Minimo: 1
Più: 1
€ 6,23 (IVA esc)
nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSTW26NM60N
Codice Prodotto2098389
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds600V
Corrente Continua di Drain Id20A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.135ohm
Stile di Case del TransistorTO-247
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3V
Dissipazione di potenza140W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
STW26NM60N è un MOSFET di potenza a canale N da 600V sviluppato grazie alla tecnologia MDmesh™ di seconda generazione. Questo MOSFET di potenza rivoluzionario associa una struttura verticale al layout a banda (strip layout) della compagnia per produrre una delle cariche di gate e resistenze in ON più basse al mondo. È adatto quindi per i convertitori ad alta efficienza più esigenti. La migliore carica di gate e la dissipazione di potenza ridotta permettono di soddisfare gli ambiziosi requisiti di efficienza di oggi.
- Testato in modalità a valanga al 100%
- Bassa carica di gate e capacità elettrica di ingresso
- Bassa resistenza di ingresso del gate
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
20A
Stile di Case del Transistor
TO-247
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
140W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
600V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.135ohm
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Documenti tecnici (2)
Alternative per STW26NM60N
5 prodotti trovati
Prodotti associati
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.068039