Stampa pagina
STU7NM60N
MOSFET di potenza, canale N, 600 V, 5 A, 0.84 ohm, TO-251, foro passante (THT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
Disponibile per l'ordine
Tempo di approvvigionamento standard del produttore: 19 settimana/e
| Quantità | |
|---|---|
| 75+ | € 0,924 |
Prezzo per:Unità
Minimo: 75
Più: 75
€ 69,30 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSTU7NM60N
Codice Prodotto2098365
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds600V
Corrente Continua di Drain Id5A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.84ohm
Stile di Case del TransistorTO-251
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3V
Dissipazione di potenza45W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
STU7NM60N è un MOSFET di potenza MDmesh™ a canale N dotato di una bassa carica di gate e bassa capacità elettrica di ingresso. Questo prodotto è stato realizzato partendo dalla tecnologia MDmesh™ di seconda generazione e applica i benefici del processo di drain multiplo alla ben nota struttura di layout orizzontale PowerMESH™ di STMicroelectronics. Il prodotto risultante offre una resistenza in ON migliorata, una bassa carica di gate, alta capacità di dV/dt e caratteristiche di valanga eccellenti.
- Testato in modalità a valanga al 100%
- Bassa resistenza di ingresso del gate
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
5A
Stile di Case del Transistor
TO-251
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
45W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
600V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.84ohm
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.031
Tracciabilità del prodotto