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STPSC8H065G2Y-TR
Diodo Schottky al carburo di silicio, singolo, 650 V, 8 A, 23.5 nC, D2PAK HV
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSTPSC8H065G2Y-TR
Codice Prodotto3105988
Datasheet tecnico
Gamma di prodotti-
Configurazione Diodosingolo
Tensione inversa di picco ripetitiva650V
Corrente diretta media8A
Carica Qc capacitiva totale23.5nC
Tipo di Case del DiodoD2PAK HV
Numero di Pin3 Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Montaggio del diodomontaggio superficiale
QualificazioniAEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
Avvertenze
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Specifiche tecniche
Gamma di prodotti
-
Tensione inversa di picco ripetitiva
650V
Carica Qc capacitiva totale
23.5nC
Numero di Pin
3 Pin
Montaggio del diodo
montaggio superficiale
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Configurazione Diodo
singolo
Corrente diretta media
8A
Tipo di Case del Diodo
D2PAK HV
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Documenti tecnici (3)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00138
Tracciabilità del prodotto