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STPSC10H12B2-TR
Diodo Schottky al carburo di silicio, singolo, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, DPAK-HV
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSTPSC10H12B2-TR
Codice Prodotto3680090
Datasheet tecnico
Gamma di prodotti-
Configurazione Diodosingolo
Tensione inversa di picco ripetitiva1.2kV
Corrente diretta media10A
Carica Qc capacitiva totale57nC
Tipo di Case del DiodoDPAK-HV
Numero di Pin2 Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Montaggio del diodomontaggio superficiale
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Gamma di prodotti
-
Tensione inversa di picco ripetitiva
1.2kV
Carica Qc capacitiva totale
57nC
Numero di Pin
2 Pin
Montaggio del diodo
montaggio superficiale
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Configurazione Diodo
singolo
Corrente diretta media
10A
Tipo di Case del Diodo
DPAK-HV
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00035
Tracciabilità del prodotto