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STP80NF55-08
MOSFET di potenza, canale N, 55 V, 80 A, 0.008 ohm, TO-220, foro passante (THT)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSTP80NF55-08
Codice Prodotto1291988
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds55V
Corrente Continua di Drain Id80A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.008ohm
Stile di Case del TransistorTO-220
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3V
Dissipazione di potenza300W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
Il STP80NF55-08 STMicroelectronics è un MOSFET di potenza STripFET a canale N da 55V, con assemblaggio THT in un package TO-220. Questo MOSFET di potenza è progettato sulla base del processo speciale basato su strip "Single Feature Size". Il transistore risultante mostra una densità di package estremamente elevata, per caratteristiche di valanga rinforzate, bassa resistenza in stato di conduzione e meno step critici di allineamento. Applicabile nelle applicazioni di commutazione.
- Tensione drain-source (Vds): 55V
- Tensione VGS (gate-sorgente): ±20V
- Corrente di pozzo (drain) continua (Id): 80A
- Dissipazione di potenza (Pd): 300W
- Bassa resistenza in conduzione (RdsON): 6.5mohm a Vgs 10V
- Temperatura di giunzione di esercizio: da -55°C a 175°C
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
80A
Stile di Case del Transistor
TO-220
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
300W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
55V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.008ohm
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Documenti tecnici (2)
Alternative per STP80NF55-08
3 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Morocco
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Morocco
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (21-Jan-2025)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.002685