STP11NM80
MOSFET di potenza, canale N, 800 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-220, foro passante (THT)
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| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 4,550 |
| 10+ | € 3,370 |
| 100+ | € 3,190 |
| 500+ | € 2,750 |
| 1000+ | € 2,700 |
Informazioni sui prodotti
Panoramica del prodotto
The STP11NM80 is a MDmesh™ N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. This Power MOSFET developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. This device offers extremely low ON-resistance, high dV/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST's proprietary strip technique, this Power MOSFET boasts an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market.
- Low gate input resistance
Avvertenze
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Specifiche tecniche
canale N
11A
TO-220
10V
150W
150°C
-
800V
0.4ohm
foro passante (THT)
4V
3Pin
-
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (2)
Alternative per STP11NM80
2 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
RoHS
RoHS
Certificato di conformità del prodotto