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STO60N030M9
MOSFET di potenza, canale N, 600 V, 79 A, 0.03 ohm, TO-LL tipo A2, montaggio superficiale (SMT)
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| Quantità | |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSTO60N030M9
Codice Prodotto4690212RL
Datasheet tecnico
Tensione Drain Source Vds600V
Corrente Continua di Drain Id79A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.03ohm
Stile di Case del TransistorTO-LL tipo A2
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4.2V
Dissipazione di potenza255W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Specifiche tecniche
Tensione Drain Source Vds
600V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.03ohm
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
255W
Temperatura di esercizio max
150°C
Corrente Continua di Drain Id
79A
Stile di Case del Transistor
TO-LL tipo A2
Tensione di soglia Gate-Source massima
4.2V
Numero di pin
8Pin
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:In attesa di conferma
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:In attesa di conferma
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto