Stampa pagina
STN1HNK60
MOSFET di potenza, canale N, 600 V, 500 mA, 8.5 ohm, SOT-223, montaggio superficiale (SMT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
Disponibile per l'ordine
Tempo di approvvigionamento standard del produttore: 52 settimana/e
Avvisami non appena disponibile
| Quantità | |
|---|---|
| 4000+ | € 0,387 |
| 12000+ | € 0,382 |
Prezzo per:Unità, fornito in bobina completa
Minimo: 4000
Più: 4000
€ 1 548,00 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSTN1HNK60
Codice Prodotto2354521
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds600V
Corrente Continua di Drain Id500mA
Resistenza Drain-Source in conduzione8.5ohm
Stile di Case del TransistorSOT-223
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3V
Dissipazione di potenza3.3W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
The STN1HNK60 is a 600V N-channel SuperMESH™ MOSFET with extreme optimization of well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
- Extremely high dv/dt capability
- ESD improved capability
- 100% Avalanche tested
- New high voltage benchmark
- Gate charge minimized
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
500mA
Stile di Case del Transistor
SOT-223
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
3.3W
Temperatura di esercizio max
150°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
600V
Resistenza Drain-Source in conduzione
8.5ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3V
Numero di pin
3Pin
Qualificazioni
-
Documenti tecnici (2)
Prodotti associati
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85423300
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000225
Tracciabilità del prodotto