Stampa pagina
STL20N6F7
MOSFET di potenza, canale N, 60 V, 100 A, 0.0046 ohm, PowerFLAT, montaggio superficiale (SMT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSTL20N6F7
Codice Prodotto3132750
Gamma ProdottiSTripFET F7
Datasheet tecnico
5 975 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
| Quantità | |
|---|---|
| 5+ | € 1,300 |
| 50+ | € 0,895 |
| 100+ | € 0,680 |
| 500+ | € 0,544 |
| 1500+ | € 0,489 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 5
Più: 5
€ 6,50 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSTL20N6F7
Codice Prodotto3132750
Gamma ProdottiSTripFET F7
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds60V
Corrente Continua di Drain Id100A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0046ohm
Stile di Case del TransistorPowerFLAT
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4V
Dissipazione di potenza78W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiSTripFET F7
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
STL20N6F7 is a N-channel STripFET™ F7 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 3.3x3.3 package. This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low onstate resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching. Suitable for switching applications.
- Among the lowest RDS(on) on the market
- Excellent figure of merit (FoM)
- Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
- High avalanche ruggedness
- 60V drain-source breakdown voltage
- 0.0054ohm static drain-source on-resistance max
- 20A drain current (continuous) at Tpcb = 25 °C
- Operating junction temperature range from -55 to 150°C
- 3W total dissipation at Tpcb = 25°C
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
100A
Stile di Case del Transistor
PowerFLAT
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
78W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
60V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0046ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
4V
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
STripFET F7
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00035
Tracciabilità del prodotto