Stampa pagina
STL105N8F7AG
MOSFET di potenza, canale N, 80 V, 95 A, 0.0056 ohm, PowerFLAT, montaggio superficiale (SMT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSTL105N8F7AG
Codice Prodotto3775643RL
Gamma ProdottiSTripFET F7
Datasheet tecnico
2 980 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
| Quantità | |
|---|---|
| 100+ | € 1,230 |
| 500+ | € 0,948 |
| 1000+ | € 0,867 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 100
Più: 1
€ 128,00 (IVA esc)
Per questo prodotto verranno addebitati € 5,00 per il re-reeling
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSTL105N8F7AG
Codice Prodotto3775643RL
Gamma ProdottiSTripFET F7
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Polarità Transistorcanale N
Tensione Drain Source Vds80V
Corrente Continua di Drain Id95A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0056ohm
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.0056ohm
Stile di Case del TransistorPowerFLAT
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4.5V
Dissipazione di Potenza Pd127W
Dissipazione di potenza127W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiSTripFET F7
QualificazioniAEC-Q101
Standard di Qualifica AutomotiveAEC-Q101
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
80V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0056ohm
Stile di Case del Transistor
PowerFLAT
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di Potenza Pd
127W
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
STripFET F7
Standard di Qualifica Automotive
AEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Polarità Transistor
canale N
Corrente Continua di Drain Id
95A
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.0056ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
4.5V
Dissipazione di potenza
127W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000076
Tracciabilità del prodotto