Stampa pagina
STH30N65DM6-7AG
MOSFET di potenza, canale N, 650 V, 28 A, 0.102 ohm, H2PAK, montaggio superficiale (SMT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSTH30N65DM6-7AG
Codice Prodotto3798134RL
Gamma ProdottiMDmesh DM6
Datasheet tecnico
21 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
| Quantità | |
|---|---|
| 10+ | € 4,790 |
| 100+ | € 3,550 |
| 500+ | € 3,260 |
| 1000+ | € 2,950 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 10
Più: 1
€ 52,90 (IVA esc)
Per questo prodotto verranno addebitati € 5,00 per il re-reeling
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSTH30N65DM6-7AG
Codice Prodotto3798134RL
Gamma ProdottiMDmesh DM6
Datasheet tecnico
Polarità Transistorcanale N
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds650V
Corrente Continua di Drain Id28A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.102ohm
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.102ohm
Stile di Case del TransistorH2PAK
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4V
Dissipazione di potenza223W
Dissipazione di Potenza Pd223W
Numero di pin7Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiMDmesh DM6
QualificazioniAEC-Q101
Standard di Qualifica AutomotiveAEC-Q101
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Polarità Transistor
canale N
Tensione Drain Source Vds
650V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.102ohm
Stile di Case del Transistor
H2PAK
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
223W
Numero di pin
7Pin
Gamma di prodotti
MDmesh DM6
Standard di Qualifica Automotive
AEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
28A
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.102ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
4V
Dissipazione di Potenza Pd
223W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00154