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STH2N120K5-2AG
MOSFET di potenza, canale N, 1.2 kV, 1.5 A, 7.25 ohm, H2PAK-2, montaggio superficiale (SMT)
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ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSTH2N120K5-2AG
Codice Prodotto3527138RL
Gamma ProdottiMDmesh K5
Datasheet tecnico
Disponibile per l'ordine
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| Quantità | |
|---|---|
| 1000+ | € 1,830 |
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Minimo: 1000
Più: 1000
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSTH2N120K5-2AG
Codice Prodotto3527138RL
Gamma ProdottiMDmesh K5
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Polarità Transistorcanale N
Tensione Drain Source Vds1.2kV
Corrente Continua di Drain Id1.5A
Resistenza Drain-Source in conduzione7.25ohm
Resistenza di Attivazione Rds(on)7.25ohm
Stile di Case del TransistorH2PAK-2
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3V
Dissipazione di Potenza Pd60W
Dissipazione di potenza60W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiMDmesh K5
QualificazioniAEC-Q101
Standard di Qualifica AutomotiveAEC-Q101
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Panoramica del prodotto
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Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
1.2kV
Resistenza Drain-Source in conduzione
7.25ohm
Stile di Case del Transistor
H2PAK-2
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di Potenza Pd
60W
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
MDmesh K5
Standard di Qualifica Automotive
AEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Polarità Transistor
canale N
Corrente Continua di Drain Id
1.5A
Resistenza di Attivazione Rds(on)
7.25ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3V
Dissipazione di potenza
60W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00138
Tracciabilità del prodotto