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STGWA20H65DFB2
IGBT, 40 A, 1.65 V, 147 W, 650 V, TO-247, 3 Pin
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ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSTGWA20H65DFB2
Codice Prodotto3577215
Gamma ProdottiHB2
Datasheet tecnico
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSTGWA20H65DFB2
Codice Prodotto3577215
Gamma ProdottiHB2
Datasheet tecnico
Corrente di collettore continua40A
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore1.65V
Dissipazione di potenza147W
Massima tensione Collettore-Emettitore650V
Stile di Case del TransistorTO-247
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Gamma di prodottiHB2
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
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Specifiche tecniche
Corrente di collettore continua
40A
Dissipazione di potenza
147W
Stile di Case del Transistor
TO-247
Temperatura di esercizio max
175°C
Gamma di prodotti
HB2
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore
1.65V
Massima tensione Collettore-Emettitore
650V
Numero di pin
3Pin
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0061