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STGIPS10K60A
Modulo IGBT, Inverter a Tre Fasi IPM, 10 A, 600 V, 33 W, 125 °C, SDIP
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
Fuori produzione
Informazioni sui prodotti
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSTGIPS10K60A
Codice Prodotto1889350
Datasheet tecnico
Configurazione Transistore IGBTInverter a Tre Fasi IPM
Polarità TransistorCanale N
Corrente di Collettore continua10A
Corrente di Collettore CC10A
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore600V
Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(on)600V
Dissipazione di potenza33W
Dissipazione di Potenza Pd33W
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo-
Temperatura di esercizio max125°C
Temperatura di Giunzione Tj Max125°C
Stile di Case del TransistorSDIP
Terminazione IGBTa saldare
Numero di pin25Pin
Massima tensione Collettore-Emettitore-
Tecnologia Transistore IGBT-
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Gamma di prodotti-
Alternative per STGIPS10K60A
1 prodotto trovato
Panoramica del prodotto
The STGIPS10K60A is a SLLIMM™ small low-loss Intelligent Moulded Module provides a compact, high performance AC motor drive in a simple, rugged design. Combining ST proprietary control IC with the most advanced short-circuit rugged IGBT system technology. It is ideal for 3-phase inverters in applications such as home appliances and air conditioners. It features IPM 10A/600V, 3-phase IGBT inverter bridge including control ICs for gate driving and freewheeling diodes.
- Short-circuit rugged IGBT
- VCE(sat) negative temperature coefficient
- 3.3/5/15V CMOS/TTL inputs comparators with hysteresis and pull-down resistor
- Undervoltage lockout
- Internal bootstrap diode
- Interlocking function
- DBC substrate leading to low thermal resistance
- 2500VRMS/minute Isolation rating
- 5kΩ NTC thermistor for temperature control
Avvertenze
La domanda del mercato per questo prodotto ha causato un'estensione dei tempi di consegna, le date di consegna possono variare.
Specifiche tecniche
Configurazione Transistore IGBT
Inverter a Tre Fasi IPM
Corrente di Collettore continua
10A
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore
600V
Dissipazione di potenza
33W
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo
-
Temperatura di Giunzione Tj Max
125°C
Terminazione IGBT
a saldare
Massima tensione Collettore-Emettitore
-
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Polarità Transistor
Canale N
Corrente di Collettore CC
10A
Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(on)
600V
Dissipazione di Potenza Pd
33W
Temperatura di esercizio max
125°C
Stile di Case del Transistor
SDIP
Numero di pin
25Pin
Tecnologia Transistore IGBT
-
Gamma di prodotti
-
Documenti tecnici (3)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.021772
Tracciabilità del prodotto