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STGD4H60DF
IGBT, 8 A, 1.6 V, 75 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin
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| Quantità | |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSTGD4H60DF
Codice Prodotto4294107RL
Datasheet tecnico
Corrente di collettore continua8A
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore1.6V
Dissipazione di potenza75W
Massima tensione Collettore-Emettitore600V
Stile di Case del TransistorTO-252 (DPAK)
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Gamma di prodotti-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Corrente di collettore continua
8A
Dissipazione di potenza
75W
Stile di Case del Transistor
TO-252 (DPAK)
Temperatura di esercizio max
175°C
Gamma di prodotti
-
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore
1.6V
Massima tensione Collettore-Emettitore
600V
Numero di pin
3Pin
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0003
Tracciabilità del prodotto