Stampa pagina
STGD18N40LZT4
IGBT, 25 A, 1.35 V, 125 W, 390 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
1 940 A Stock
Ti serve altro?
Consegna EXPRESS in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00
Consegna standard GRATUITA
per gli ordini di importo pari e superiore a € 0,00
I tempi di consegna precisi saranno calcolati al momento del pagamento
| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 1,490 |
| 10+ | € 1,130 |
| 100+ | € 1,040 |
| 500+ | € 0,956 |
| 1000+ | € 0,869 |
Prezzo per:Unità
Minimo: 1
Più: 1
€ 1,49 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSTGD18N40LZT4
Codice Prodotto2344078
Datasheet tecnico
Corrente di collettore continua25A
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore1.35V
Dissipazione di potenza125W
Massima tensione Collettore-Emettitore390V
Stile di Case del TransistorTO-252 (DPAK)
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Gamma di prodotti-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
The STGD18N40LZT4 is an internally clamped IGBT utilizes the most advanced PowerMESH™ technology. The built-in Zener diode between gate-collector and gate-emitter provide overvoltage protection capabilities. The device also exhibits low ON-state voltage drop and low threshold drive for use in automotive ignition system. It is suitable for pencil coil electronic ignition drive.
- ESD gate-emitter protection
- Gate-collector high voltage clamping
- Logic level gate drive
- Low saturation voltage
- High pulsed current capability
- Gate and gate-emitter resistor
- 180mJ Avalanche energy @ TC = 150°C, L = 3mH
Specifiche tecniche
Corrente di collettore continua
25A
Dissipazione di potenza
125W
Stile di Case del Transistor
TO-252 (DPAK)
Temperatura di esercizio max
175°C
Gamma di prodotti
-
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore
1.35V
Massima tensione Collettore-Emettitore
390V
Numero di pin
3Pin
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (2)
Prodotti associati
2 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000533
Tracciabilità del prodotto