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STGB30H65DFB2
IGBT, 50 A, 1.65 V, 167 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin
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ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSTGB30H65DFB2
Codice Prodotto3528422
Gamma ProdottiHB2
Datasheet tecnico
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSTGB30H65DFB2
Codice Prodotto3528422
Gamma ProdottiHB2
Datasheet tecnico
Corrente di collettore continua50A
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore1.65V
Dissipazione di potenza167W
Massima tensione Collettore-Emettitore650V
Stile di Case del TransistorTO-263 (D2PAK)
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Gamma di prodottiHB2
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
Note
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Specifiche tecniche
Corrente di collettore continua
50A
Dissipazione di potenza
167W
Stile di Case del Transistor
TO-263 (D2PAK)
Temperatura di esercizio max
175°C
Gamma di prodotti
HB2
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore
1.65V
Massima tensione Collettore-Emettitore
650V
Numero di pin
3Pin
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00169
Tracciabilità del prodotto